MT47H512M8WTR-3:C
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MT47H512M8WTR-3:C
제조사 | Micron Technology |
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기술 | IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA |
범주 | 집적회로 (ic) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 15ns |
전압 - 공급 | 1.7 V ~ 1.9 V |
과학 기술 | SDRAM - DDR2 |
제조업체 장치 패키지 | 63-FBGA (9x11.5) |
연속 | - |
포장 | Tray |
패키지 / 케이스 | 63-TFBGA |
작동 온도 | 0°C ~ 85°C (TC) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) |
메모리 유형 | Volatile |
메모리 크기 | 4Gb (512M x 8) |
메모리 인터페이스 | Parallel |
메모리 형식 | DRAM |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
상세 설명 | SDRAM - DDR2 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 333MHz 450ps 63-FBGA (9x11.5) |
클럭 주파수 | 333MHz |
기본 부품 번호 | MT47H512M8 |
액세스 시간 | 450ps |
RFQ |
참고 가격 (미국 달러 기준)
유품:308
- 1000 pcs$58.648
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