MT47H512M8WTR-3:C
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MT47H512M8WTR-3:C
| fabbricante | Micron Technology |
|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Contenitore dispositivo fornitore | 63-FBGA (9x11.5) |
| Serie | - |
| imballaggio | Tray |
| Contenitore / involucro | 63-TFBGA |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR2 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 333MHz 450ps 63-FBGA (9x11.5) |
| Frequenza dell'orologio | 333MHz |
| Numero di parte base | MT47H512M8 |
| Tempo di accesso | 450ps |
| RFQ | |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 1000 pcs$58.648
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