MT47H512M8WTR-3:C
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MT47H512M8WTR-3:C
| Fabricante | Micron Technology |
|---|---|
| Descripción | IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA |
| Categoría | Circuitos integrados (ICS) |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 15ns |
| Suministro de voltaje | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Tecnología | SDRAM - DDR2 |
| Paquete del dispositivo | 63-FBGA (9x11.5) |
| Serie | - |
| embalaje | Tray |
| Paquete / Cubierta | 63-TFBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | DRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | SDRAM - DDR2 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 333MHz 450ps 63-FBGA (9x11.5) |
| Frecuencia de reloj | 333MHz |
| Número de pieza base | MT47H512M8 |
| Tiempo de acceso | 450ps |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1000 pcs$58.648
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Introducción de MT47H512M8WTR-3:C
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