SI4909DY-T1-GE3
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SI4909DY-T1-GE3
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descrição | MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-SO |
| Série | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 27 mOhm @ 8A, 10V |
| Power - Max | 3.2W |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes | SI4909DY-T1-GE3TR |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 20V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 40V |
| Descrição detalhada | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 8A |
| RFQ | |
Preço de referência (em dólares americanos)
- 1 pcs$0.739
- 10 pcs$0.667
- 30 pcs$0.628
- 100 pcs$0.583
- 500 pcs$0.526
- 1000 pcs$0.517
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- Electro-Films (EFI) / Vishay SI4909DY-T1-GE3
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