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SI4909DY-T1-GE3

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SI4909DY-T1-GE3

제조사Electro-Films (EFI) / Vishay
기술MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
아이디 @ VGS (일) (최대) 2.5V @ 250µA
제조업체 장치 패키지 8-SO
연속 TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 27 mOhm @ 8A, 10V
전력 - 최대 3.2W
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들 SI4909DY-T1-GE3TR
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2000pF @ 20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 63nC @ 10V
FET 유형 2 P-Channel (Dual)
FET 특징 Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss) 40V
상세 설명 Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A

SI4909DY

RFQ

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품:211
  • 1 pcs$0.739
  • 10 pcs$0.667
  • 30 pcs$0.628
  • 100 pcs$0.583
  • 500 pcs$0.526
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