SI4909DY-T1-GE3
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SI4909DY-T1-GE3
メーカー | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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説明 | MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 27 mOhm @ 8A, 10V |
電力 - 最大 | 3.2W |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前 | SI4909DY-T1-GE3TR |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2000pF @ 20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 63nC @ 10V |
FETタイプ | 2 P-Channel (Dual) |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40V |
詳細な説明 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A |
RFQ |
参考価格(USD)
在庫あり:211
- 1 pcs$0.739
- 10 pcs$0.667
- 30 pcs$0.628
- 100 pcs$0.583
- 500 pcs$0.526
- 1000 pcs$0.517
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