SI4909DY-T1-GE3
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SI4909DY-T1-GE3
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 27 mOhm @ 8A, 10V |
| Potenza - Max | 3.2W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | SI4909DY-T1-GE3TR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
| RFQ | |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 1 pcs$0.739
- 10 pcs$0.667
- 30 pcs$0.628
- 100 pcs$0.583
- 500 pcs$0.526
- 1000 pcs$0.517
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