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HGTP12N60A4

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HGTP12N60A4

제조사AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술IGBT 600V 54A 167W TO220AB
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2.7V @ 15V, 12A
시험 조건 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 17ns/96ns
에너지 전환 55µJ (on), 50µJ (off)
제조업체 장치 패키지 TO-220AB
연속 -
전력 - 최대 167W
포장 Tube
패키지 / 케이스 TO-220-3
다른 이름들 HGTP12N60A4_NL
HGTP12N60A4_NL-ND
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 유형 Standard
IGBT 유형 -
게이트 충전 78nC
상세 설명 IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-220AB
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 96A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 54A
기본 부품 번호 HGTP12N60

TO220B03 Pkg Drawing

HGT(P,G)12N60A4, HGT1S12N60A4S9A

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