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HGTP12N60A4

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HGTP12N60A4

HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungIGBT 600V 54A 167W TO220AB
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Testbedingung 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 17ns/96ns
Schaltenergie 55µJ (on), 50µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB
Serie -
Leistung - max 167W
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Andere Namen HGTP12N60A4_NL
HGTP12N60A4_NL-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard
IGBT-Typ -
Gate-Ladung 78nC
detaillierte Beschreibung IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-220AB
Strom - Collector Pulsed (Icm) 96A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 54A
Basisteilenummer HGTP12N60

TO220B03 Pkg Drawing

HGT(P,G)12N60A4, HGT1S12N60A4S9A

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