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HGTP12N60A4

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HGTP12N60A4

メーカーAMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明IGBT 600V 54A 167W TO220AB
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 600V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大） 2.7V @ 15V, 12A
試験条件 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td（オン/オフ）@ 25℃ 17ns/96ns
エネルギーの切り替え 55µJ (on), 50µJ (off)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ -
電力 - 最大 167W
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-220-3
他の名前 HGTP12N60A4_NL
HGTP12N60A4_NL-ND
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力タイプ Standard
IGBTタイプ -
ゲートチャージ 78nC
詳細な説明 IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-220AB
電流 - コレクタパルス（ICM） 96A
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 54A
ベース部品番号 HGTP12N60

TO220B03 Pkg Drawing

HGT(P,G)12N60A4, HGT1S12N60A4S9A

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HGTP12N60A4関連の発表

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