HGTP12N60A4
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HGTP12N60A4
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Descripción | IGBT 600V 54A 167W TO220AB |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 600V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
| Condición de prueba | 390V, 12A, 10 Ohm, 15V |
| Td (encendido / apagado) @ 25 ° C | 17ns/96ns |
| Cambio de Energía | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| Paquete del dispositivo | TO-220AB |
| Serie | - |
| Potencia - Max | 167W |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Otros nombres | HGTP12N60A4_NL HGTP12N60A4_NL-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada | Standard |
| Tipo de IGBT | - |
| puerta de carga | 78nC |
| Descripción detallada | IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-220AB |
| Corriente - Colector Pulsada (ICM) | 96A |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 54A |
| Número de pieza base | HGTP12N60 |
|
HGT(P,G)12N60A4, HGT1S12N60A4S9A RFQ |
|
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ImagenNúmero de piezaFabricantesDescripciónVer -
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