EPC2105ENG
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EPC2105ENG
| メーカー | EPC |
|---|---|
| 説明 | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 2.5mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| シリーズ | eGaN® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
| 電力 - 最大 | - |
| パッケージング | Bulk |
| パッケージ/ケース | Die |
| 他の名前 | EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4 |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 300pF @ 40V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.5nC @ 5V |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET特長 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80V |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.5A, 38A |
| RFQ | |
参考価格（USD）
在庫あり:1949
- 10 pcs$13.679
- 30 pcs$12.653
- 100 pcs$11.627
- 250 pcs$10.601
- 500 pcs$9.917
- 1000 pcs$9.096
上記の価格には税金と貨物は含まれておらず、特定の価格は最終オファーの対象となります。
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