EPC2105ENG
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EPC2105ENG
| Fabricante | EPC |
|---|---|
| Descripción | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 2.5mA |
| Paquete del dispositivo | Die |
| Serie | eGaN® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Potencia - Max | - |
| embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | Die |
| Otros nombres | EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 80V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A, 38A |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 10 pcs$13.679
- 30 pcs$12.653
- 100 pcs$11.627
- 250 pcs$10.601
- 500 pcs$9.917
- 1000 pcs$9.096
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