EPC2105ENG
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EPC2105ENG
| Fabricant | EPC |
|---|---|
| La description | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA |
| Package composant fournisseur | Die |
| Séries | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Puissance - Max | - |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | Die |
| Autres noms | EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
| type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tension drain-source (Vdss) | 80V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9.5A, 38A |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 10 pcs$13.679
- 30 pcs$12.653
- 100 pcs$11.627
- 250 pcs$10.601
- 500 pcs$9.917
- 1000 pcs$9.096
Les prix ci-dessus sont exclusifs des taxes et des frais d'expédition. Le prix exact est soumis à l'offre finale
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