EPC2105ENG
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EPC2105ENG
| Hersteller | EPC |
|---|---|
| Beschreibung | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA |
| Supplier Device-Gehäuse | Die |
| Serie | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Leistung - max | - |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | Die |
| Andere Namen | EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Merkmal | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.5A, 38A |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 10 pcs$13.679
- 30 pcs$12.653
- 100 pcs$11.627
- 250 pcs$10.601
- 500 pcs$9.917
- 1000 pcs$9.096
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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