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IPD096N08N3GBTMA1

IPD096N08N3GBTMA1
International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPD096N08N3GBTMA1

FabricanteInternational Rectifier (Infineon Technologies)
DescriçãoMOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 46µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO252-3
Série OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 9.6 mOhm @ 46A, 10V
Dissipação de energia (Max) 100W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes IPD096N08N3 G
IPD096N08N3 G-ND
IPD096N08N3GBTMA1TR
SP000474196
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2410pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 80V
Descrição detalhada N-Channel 80V 73A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 73A (Tc)

IPD096N08N3 G

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:34437
  • 1 pcs$1.176
  • 10 pcs$1.00
  • 30 pcs$0.903
  • 100 pcs$0.793
  • 500 pcs$0.744
  • 1000 pcs$0.722

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