IPD096N08N3GBTMA1
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IPD096N08N3GBTMA1
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.5V @ 46µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PG-TO252-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 46A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 100W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres | IPD096N08N3 G IPD096N08N3 G-ND IPD096N08N3GBTMA1TR SP000474196 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 40V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 80V |
| Descripción detallada | N-Channel 80V 73A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 73A (Tc) |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$1.176
- 10 pcs$1.00
- 30 pcs$0.903
- 100 pcs$0.793
- 500 pcs$0.744
- 1000 pcs$0.722
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