IPD096N08N3GBTMA1
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IPD096N08N3GBTMA1
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 46µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 46A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | IPD096N08N3 G IPD096N08N3 G-ND IPD096N08N3GBTMA1TR SP000474196 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 80V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 80V 73A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 73A (Tc) |
| RFQ | |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 1 pcs$1.176
- 10 pcs$1.00
- 30 pcs$0.903
- 100 pcs$0.793
- 500 pcs$0.744
- 1000 pcs$0.722
I prezzi di cui sopra sono esclusivi delle tasse e delle spese di spedizione. Il prezzo esatto è soggetto all'offerta finale
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