IPD096N08N3GBTMA1
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IPD096N08N3GBTMA1
| Hersteller | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 46A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 100W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen | IPD096N08N3 G IPD096N08N3 G-ND IPD096N08N3GBTMA1TR SP000474196 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 80V 73A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 73A (Tc) |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$1.176
- 10 pcs$1.00
- 30 pcs$0.903
- 100 pcs$0.793
- 500 pcs$0.744
- 1000 pcs$0.722
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von IPD096N08N3GBTMA1
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