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IXFX38N80Q2

IXFX38N80Q2
IXYS Corporation

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IXFX38N80Q2

FabricanteIXYS Corporation
DescriçãoMOSFET N-CH 800V 38A PLUS247
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PLUS247™-3
Série HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 220 mOhm @ 19A, 10V
Dissipação de energia (Max) 735W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-247-3
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8340pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 190nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 800V
Descrição detalhada N-Channel 800V 38A (Tc) 735W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 38A (Tc)

IXF(K,N,X)38N80Q2

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:566
  • 30 pcs$31.194

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