IXFX38N80Q2
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IXFX38N80Q2
| Fabricante | IXYS Corporation |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 8mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PLUS247™-3 |
| Serie | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 220 mOhm @ 19A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 735W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8340pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V |
| Descripción detallada | N-Channel 800V 38A (Tc) 735W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 30 pcs$31.194
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ImagenNúmero de piezaFabricantesDescripciónVer -
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