IXFX38N80Q2
IXFX38N80Q2
fabbricante | IXYS Corporation |
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Descrizione | MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247 |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 8mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
Serie | HiPerFET™ |
Rds On (max) a Id, Vgs | 220 mOhm @ 19A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 735W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-247-3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8340pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 800V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 800V 38A (Tc) 735W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
RFQ |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 30 pcs$31.194
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