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IXFX38N80Q2

IXFX38N80Q2
IXYS Corporation

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IXFX38N80Q2

FabricantIXYS Corporation
La descriptionMOSFET N-CH 800V 38A PLUS247
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PLUS247™-3
Séries HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 19A, 10V
Dissipation de puissance (max) 735W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8340pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 190nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 800V
Description détaillée N-Channel 800V 38A (Tc) 735W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc)

IXF(K,N,X)38N80Q2

RFQ

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