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SIA483DJ-T1-GE3

SIA483DJ-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIA483DJ-T1-GE3

FabricanteElectro-Films (EFI) / Vishay
DescriçãoMOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PowerPAK® SC-70-6 Single
Série TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 21 mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete PowerPAK® SC-70-6
Outros nomes SIA483DJ-T1-GE3TR
SIA483DJT1GE3
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Tipo FET P-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição detalhada P-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)

SIA483DJ

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:5024
  • 1 pcs$0.682
  • 10 pcs$0.611
  • 30 pcs$0.574
  • 100 pcs$0.539
  • 500 pcs$0.517
  • 1000 pcs$0.506

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