SIA483DJ-T1-GE3
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SIA483DJ-T1-GE3
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SC-70-6 |
| Andere Namen | SIA483DJ-T1-GE3TR SIA483DJT1GE3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| detaillierte Beschreibung | P-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$0.682
- 10 pcs$0.611
- 30 pcs$0.574
- 100 pcs$0.539
- 500 pcs$0.517
- 1000 pcs$0.506
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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Einführung von SIA483DJ-T1-GE3
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- Electro-Films (EFI) / Vishay SIA483DJ-T1-GE3
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- Phoenix Passive Components / Vishay SIA483DJ-T1-GE3
- Vishay Electro-Films SIA483DJ-T1-GE3