SIA483DJ-T1-GE3
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SIA483DJ-T1-GE3
| Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Séries | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | PowerPAK® SC-70-6 |
| Autres noms | SIA483DJ-T1-GE3TR SIA483DJT1GE3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 32 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | P-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 1 pcs$0.682
- 10 pcs$0.611
- 30 pcs$0.574
- 100 pcs$0.539
- 500 pcs$0.517
- 1000 pcs$0.506
Les prix ci-dessus sont exclusifs des taxes et des frais d'expédition. Le prix exact est soumis à l'offre finale
Citation requise
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