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SIA483DJ-T1-GE3

SIA483DJ-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIA483DJ-T1-GE3

fabbricanteElectro-Films (EFI) / Vishay
DescrizioneMOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 21 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro PowerPAK® SC-70-6
Altri nomi SIA483DJ-T1-GE3TR
SIA483DJT1GE3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata P-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)

SIA483DJ

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:5024
  • 1 pcs$0.682
  • 10 pcs$0.611
  • 30 pcs$0.574
  • 100 pcs$0.539
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