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SI4455DY-T1-E3

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SI4455DY-T1-E3

FabricanteElectro-Films (EFI) / Vishay
DescriçãoMOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO
Série TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 295 mOhm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max) 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes SI4455DY-T1-E3-ND
SI4455DY-T1-E3TR
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 33 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Tipo FET P-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 150V
Descrição detalhada P-Channel 150V 2.8A (Tc) 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2.8A (Tc)

SI4455DY

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:48079
  • 1 pcs$0.563
  • 10 pcs$0.50
  • 30 pcs$0.469
  • 100 pcs$0.438
  • 500 pcs$0.42
  • 1000 pcs$0.411

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