SI4455DY-T1-E3
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SI4455DY-T1-E3
Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descrição | MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-SO |
Série | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 295 mOhm @ 4A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Outros nomes | SI4455DY-T1-E3-ND SI4455DY-T1-E3TR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 33 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 50V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 150V |
Descrição detalhada | P-Channel 150V 2.8A (Tc) 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
RFQ |
Preço de referência (em dólares americanos)
- 1 pcs$0.563
- 10 pcs$0.50
- 30 pcs$0.469
- 100 pcs$0.438
- 500 pcs$0.42
- 1000 pcs$0.411
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