SI4455DY-T1-E3
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SI4455DY-T1-E3
メーカー | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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説明 | MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 295 mOhm @ 4A, 10V |
電力消費(最大) | 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前 | SI4455DY-T1-E3-ND SI4455DY-T1-E3TR |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 33 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1190pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 42nC @ 10V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 150V |
詳細な説明 | P-Channel 150V 2.8A (Tc) 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.8A (Tc) |
RFQ |
参考価格(USD)
在庫あり:48079
- 1 pcs$0.563
- 10 pcs$0.50
- 30 pcs$0.469
- 100 pcs$0.438
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