SI4455DY-T1-E3
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SI4455DY-T1-E3
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-SO |
| Serie | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 295 mOhm @ 4A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | SI4455DY-T1-E3-ND SI4455DY-T1-E3TR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 33 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 150V |
| Descripción detallada | P-Channel 150V 2.8A (Tc) 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$0.563
- 10 pcs$0.50
- 30 pcs$0.469
- 100 pcs$0.438
- 500 pcs$0.42
- 1000 pcs$0.411
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