SI4455DY-T1-E3
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SI4455DY-T1-E3
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 295 mOhm @ 4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | SI4455DY-T1-E3-ND SI4455DY-T1-E3TR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 150V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 150V 2.8A (Tc) 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
| RFQ | |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 1 pcs$0.563
- 10 pcs$0.50
- 30 pcs$0.469
- 100 pcs$0.438
- 500 pcs$0.42
- 1000 pcs$0.411
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