NVB6413ANT4G
NVB6413ANT4G
Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descrição | MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | D2PAK-3 |
Série | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 28 mOhm @ 42A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 136W (Tc) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 100V |
Descrição detalhada | N-Channel 100V 42A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D2PAK-3 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 42A (Tc) |
RFQ |
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