NVB6413ANT4G
NVB6413ANT4G
Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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La description | MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | D2PAK-3 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 42A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 136W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 100V |
Description détaillée | N-Channel 100V 42A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D2PAK-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 42A (Tc) |
RFQ |
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