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NVB6413ANT4G

NVB6413ANT4G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NVB6413ANT4G

FabricantAMI Semiconductor / ON Semiconductor
La descriptionMOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D2PAK-3
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 42A, 10V
Dissipation de puissance (max) 136W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V
Description détaillée N-Channel 100V 42A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D2PAK-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc)

NTB,NTP6413AN

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