NVB6413ANT4G
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NVB6413ANT4G
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK-3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 42A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 136W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 42A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D2PAK-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 42A (Tc) |
| RFQ | |
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-
BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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