NVB6413ANT4G
NVB6413ANT4G
fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descrizione | MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | D2PAK-3 |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 28 mOhm @ 42A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 42A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D2PAK-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 42A (Tc) |
RFQ |
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