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FDP023N08B-F102

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FDP023N08B-F102

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescriçãoMOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220-3
Série PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.35 mOhm @ 75A, 10V
Dissipação de energia (Max) 245W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-220-3
Outros nomes FDP023N08B_F102
FDP023N08B_F102-ND
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 13765pF @ 37.5V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 75V
Descrição detalhada N-Channel 75V 120A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)

FDP023N08B_F102

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:50292
  • 1 pcs$3.594
  • 10 pcs$3.173
  • 50 pcs$2.924
  • 100 pcs$2.671
  • 500 pcs$2.336
  • 1000 pcs$2.284

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