FDP023N08B-F102
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FDP023N08B-F102
Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descrição | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
VGS (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220-3 |
Série | PowerTrench® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 2.35 mOhm @ 75A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 245W (Tc) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-220-3 |
Outros nomes | FDP023N08B_F102 FDP023N08B_F102-ND |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13765pF @ 37.5V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 75V |
Descrição detalhada | N-Channel 75V 120A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
RFQ |
Preço de referência (em dólares americanos)
- 1 pcs$3.594
- 10 pcs$3.173
- 50 pcs$2.924
- 100 pcs$2.671
- 500 pcs$2.336
- 1000 pcs$2.284
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