FDP023N08B-F102
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FDP023N08B-F102
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 3.8V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.35 mOhm @ 75A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 245W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Altri nomi | FDP023N08B_F102 FDP023N08B_F102-ND |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13765pF @ 37.5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 75V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 75V 120A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| RFQ | |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 1 pcs$3.594
- 10 pcs$3.173
- 50 pcs$2.924
- 100 pcs$2.671
- 500 pcs$2.336
- 1000 pcs$2.284
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- AMI Semiconductor / ON Semiconductor FDP023N08B-F102
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- AMI Semiconductor / ON Semiconductor FDP023N08B-F102
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