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FDP023N08B-F102

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FDP023N08B-F102

FabricantAMI Semiconductor / ON Semiconductor
La descriptionMOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220-3
Séries PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.35 mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max) 245W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3
Autres noms FDP023N08B_F102
FDP023N08B_F102-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13765pF @ 37.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 75V
Description détaillée N-Channel 75V 120A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)

FDP023N08B_F102

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Prix de référence (en dollars américains)

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