FDP023N08B-F102
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FDP023N08B-F102
Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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La description | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-220-3 |
Séries | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.35 mOhm @ 75A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 245W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-220-3 |
Autres noms | FDP023N08B_F102 FDP023N08B_F102-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13765pF @ 37.5V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 75V |
Description détaillée | N-Channel 75V 120A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
RFQ |
Prix de référence (en dollars américains)
- 1 pcs$3.594
- 10 pcs$3.173
- 50 pcs$2.924
- 100 pcs$2.671
- 500 pcs$2.336
- 1000 pcs$2.284
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- AMI Semiconductor / ON Semiconductor FDP023N08B-F102
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