FDP023N08B-F102
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FDP023N08B-F102
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.8V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220-3 |
| Serie | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 2.35 mOhm @ 75A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 245W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Otros nombres | FDP023N08B_F102 FDP023N08B_F102-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13765pF @ 37.5V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 195nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 75V |
| Descripción detallada | N-Channel 75V 120A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$3.594
- 10 pcs$3.173
- 50 pcs$2.924
- 100 pcs$2.671
- 500 pcs$2.336
- 1000 pcs$2.284
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