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HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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HGT1S7N60C3DS9A

メーカーAMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明IGBT 600V 14A 60W TO263AB
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 600V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大） 2V @ 15V, 7A
試験条件 480V, 7A, 50 Ohm, 15V
Td（オン/オフ）@ 25℃ -
エネルギーの切り替え 165µJ (on), 600µJ (off)
サプライヤデバイスパッケージ TO-263AB
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 37ns
電力 - 最大 60W
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
運転温度 -
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力タイプ Standard
IGBTタイプ -
ゲートチャージ 23nC
詳細な説明 IGBT 600V 14A 60W Surface Mount TO-263AB
電流 - コレクタパルス（ICM） 56A
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 14A

HGTP7N60C3D, HGT1S7N60C3D/S

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