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HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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HGT1S7N60C3DS9A

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescripciónIGBT 600V 14A 60W TO263AB
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A
Condición de prueba 480V, 7A, 50 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C -
Cambio de Energía 165µJ (on), 600µJ (off)
Paquete del dispositivo TO-263AB
Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 37ns
Potencia - Max 60W
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada Standard
Tipo de IGBT -
puerta de carga 23nC
Descripción detallada IGBT 600V 14A 60W Surface Mount TO-263AB
Corriente - Colector Pulsada (ICM) 56A
Corriente - colector (Ic) (Max) 14A

HGTP7N60C3D, HGT1S7N60C3D/S

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