HGT1S7N60C3DS9A
HGT1S7N60C3DS9A
Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | IGBT 600V 14A 60W TO263AB |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 7A |
Testbedingung | 480V, 7A, 50 Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
Schaltenergie | 165µJ (on), 600µJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263AB |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 37ns |
Leistung - max | 60W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 23nC |
detaillierte Beschreibung | IGBT 600V 14A 60W Surface Mount TO-263AB |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 56A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 14A |
RFQ |
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