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HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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HGT1S7N60C3DS9A

FabricantAMI Semiconductor / ON Semiconductor
La descriptionIGBT 600V 14A 60W TO263AB
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A
Condition de test 480V, 7A, 50 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -
énergie de commutation 165µJ (on), 600µJ (off)
Package composant fournisseur TO-263AB
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 37ns
Puissance - Max 60W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard
type de IGBT -
gate charge 23nC
Description détaillée IGBT 600V 14A 60W Surface Mount TO-263AB
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 56A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 14A

HGTP7N60C3D, HGT1S7N60C3D/S

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