TK7A55D(STA4,Q,M)
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TK7A55D(STA4,Q,M)
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 4.4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220SIS |
| Serie | π-MOSVII |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.25 Ohm @ 3.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi | TK7A55D(STA4QM) TK7A55DSTA4QM |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 550V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 550V 7A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
| RFQ | |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 50 pcs$1.684
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