TK7A55D(STA4,Q,M)
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TK7A55D(STA4,Q,M)
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220SIS |
| Serie | π-MOSVII |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.25 Ohm @ 3.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 35W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 Full Pack |
| Otros nombres | TK7A55D(STA4QM) TK7A55DSTA4QM |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 550V |
| Descripción detallada | N-Channel 550V 7A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 50 pcs$1.684
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Introducción de TK7A55D(STA4,Q,M)
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