TK7A55D(STA4,Q,M)
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TK7A55D(STA4,Q,M)
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220SIS |
| Serie | π-MOSVII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25 Ohm @ 3.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 35W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Andere Namen | TK7A55D(STA4QM) TK7A55DSTA4QM |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 550V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 550V 7A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7A (Ta) |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 50 pcs$1.684
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Einführung von TK7A55D(STA4,Q,M)
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