TK7A55D(STA4,Q,M)
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TK7A55D(STA4,Q,M)
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220SIS |
| Séries | π-MOSVII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25 Ohm @ 3.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 35W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack |
| Autres noms | TK7A55D(STA4QM) TK7A55DSTA4QM |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 550V |
| Description détaillée | N-Channel 550V 7A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 7A (Ta) |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 50 pcs$1.684
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