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ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA
Diodes Incorporated

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ZXMN3F31DN8TA

fabbricanteDiodes Incorporated
DescrizioneMOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 24 mOhm @ 7A, 10V
Potenza - Max 1.8W
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi 1034-ZXMN3F31DN8TR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 608pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.9nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.8W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A

ZXMN3F31DN8

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:7093
  • 1 pcs$0.818
  • 10 pcs$0.679
  • 30 pcs$0.61
  • 100 pcs$0.54
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