ZXMN3F31DN8TA
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ZXMN3F31DN8TA
| Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo | 8-SO |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 24 mOhm @ 7A, 10V |
| Potencia - Max | 1.8W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | 1034-ZXMN3F31DN8TR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 26 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 608pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 12.9nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.8W Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$0.818
- 10 pcs$0.679
- 30 pcs$0.61
- 100 pcs$0.54
- 500 pcs$0.499
- 1000 pcs$0.477
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Introducción de ZXMN3F31DN8TA
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