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ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA
Diodes Incorporated

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ZXMN3F31DN8TA

FabricantDiodes Incorporated
La descriptionMOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SO
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7A, 10V
Puissance - Max 1.8W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms 1034-ZXMN3F31DN8TR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 608pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.9nC @ 10V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.8W Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.7A

ZXMN3F31DN8

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:7093
  • 1 pcs$0.818
  • 10 pcs$0.679
  • 30 pcs$0.61
  • 100 pcs$0.54
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